IPT017N12NM6ATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
120 В, 331 А, 0.0017 Ом, 3.6 В
Предложений: 1 · Всего: 546 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 120 В |
| Ток стока (Id) | 331 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0017 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.6 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | HSOF-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IPT017N12NM6ATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 1012648
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
212,88 ₽
от 2 шт
| от 17 шт | 201,30 ₽ |
| от 33 шт | 192,12 ₽ |
| от 66 шт | 184,04 ₽ |
| от 132 шт | 178,59 ₽ |
Наличие
546 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.