📦
IRF1010NPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSMICROКитай
55 В, 85 А, 0.011 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 1 417 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 55 В |
| Ток стока (Id) | 85 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.011 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 180 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3210 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRF1010NPBFJSMICROТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Радиотехтрейд
Арт.: UT-00151464
Москва самовывоз
Цена
39,92 ₽
от 1 шт
| от 50 шт | 34,60 ₽ |
Наличие
1 035 шт
Упаковка: 50 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 361988
Доставка и самовывоз
Цена
38,57 ₽
от 1 шт
Наличие
382 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.