IRFB3256PBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
60 В, 206 А, 0.0034 Ом, 4 В
Предложений: 1 · Всего: 14 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 206 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0034 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6600 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220AB |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRFB3256PBFINFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 302711
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
51,73 ₽
от шт
| от 6 шт | 50,72 ₽ |
| от 11 шт | 49,29 ₽ |
| от 22 шт | 47,50 ₽ |
| от 50 шт | 45,42 ₽ |
Наличие
14 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.