IRFB33N15DPBF
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
150 В, 33 А, 0.056 Ом, 3 В
Предложений: 1 · Всего: 41 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 150 В |
| Ток стока (Id) | 33 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.056 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 170 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2020 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TO-220AB |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRFB33N15DPBFINFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 133552
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
143,66 ₽
от шт
| от 5 шт | 141,26 ₽ |
| от 10 шт | 138,02 ₽ |
| от 19 шт | 133,15 ₽ |
| от 50 шт | 125,70 ₽ |
Наличие
41 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.