IRLML0100
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
100 В, 1.6 А, 0.248 Ом, 2.5 В
Предложений: 2 · Всего: 41 310 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 1.6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.248 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.3 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 290 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRLML0100HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 122806
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
1,52 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 1,52 ₽ |
Наличие
17 300 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 428498
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
5,69 ₽
от 53 шт
| от 271 шт | 4,90 ₽ |
| от 542 шт | 4,24 ₽ |
| от 1 083 шт | 3,73 ₽ |
| от 2 165 шт | 3,39 ₽ |
Наличие
24 010 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.