IRLML2030
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: HXYКитай
30 В, 4.3 А, 0.032 Ом, 1 В
Предложений: 2 · Всего: 24 195 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 4.3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.032 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 610 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IRLML2030HXYТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 428497
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
4,44 ₽
от 68 шт
| от 353 шт | 3,76 ₽ |
| от 706 шт | 3,20 ₽ |
| от 1 411 шт | 2,78 ₽ |
| от 3 000 шт | 2,50 ₽ |
Наличие
19 395 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 123828
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
5,13 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 5,13 ₽ |
Наличие
4 800 шт
Доставка
2 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.