ISC0703NLSATMA1
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: INFКитай
60 В, 57 А, 5.8 Ом, 1.1 В
Предложений: 1 · Всего: 4 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 57 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 5.8 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1100 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от -55 до 175 °C |
| Корпус | TDSON-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:ISC0703NLSATMA1INFТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 920035
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
103,57 ₽
от 3 шт
| от 20 шт | 96,34 ₽ |
| от 40 шт | 90,44 ₽ |
| от 80 шт | 86,03 ₽ |
| от 160 шт | 82,75 ₽ |
Наличие
4 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.