📦
IXFH12N120P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
1200 В, 12 А, 1.35 Ом, 3.5 В
Предложений: 2 · Всего: 26 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В |
| Ток стока (Id) | 12 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.35 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 543 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5400 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-247 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXFH12N120PIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 1354147
Склад Москва
Цена
1 970,35 ₽
от 1 шт
| от 2 шт | 1 924,32 ₽ |
| от 3 шт | 1 900,63 ₽ |
| от 5 шт | 1 881,39 ₽ |
Наличие
15 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359209
Доставка и самовывоз
Цена
2 276,86 ₽
от 10 шт
Наличие
11 шт
Упаковка: 10 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.