IXFH16N80P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
800 В, 16 А, 0.6 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 15 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 800 В |
| Ток стока (Id) | 16 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.6 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 460 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4600 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-247 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXFH16N80PIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 424235
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
1 645,07 ₽
от 1 шт
| от 2 шт | 1 626,43 ₽ |
| от 3 шт | 1 602,34 ₽ |
| от 4 шт | 1 568,17 ₽ |
| от 5 шт | 1 510,10 ₽ |
Наличие
10 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237606
Доставка и самовывоз
Цена
2 038,66 ₽
от 3 шт
Наличие
5 шт
Упаковка: 3 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.