IXFH26N50P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
500 В, 26 А, 0.23 Ом, 3 В
Предложений: 2 · Всего: 158 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 500 В |
| Ток стока (Id) | 26 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.23 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 400 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3600 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-247 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXFH26N50PIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 361370
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
707,92 ₽
от 1 шт
| от 4 шт | 671,41 ₽ |
| от 7 шт | 641,66 ₽ |
| от 13 шт | 619,57 ₽ |
| от 30 шт | 603,14 ₽ |
Наличие
92 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 164176
Доставка и самовывоз
Цена
799,51 ₽
от 7 шт
Наличие
66 шт
Упаковка: 7 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.