IXFH88N30P
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
300 В, 88 А, 0.04 Ом, 5 В
Предложений: 2 · Всего: 17 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 300 В |
| Ток стока (Id) | 88 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.04 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 600 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6300 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-247 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXFH88N30PIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 424239
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
1 085,51 ₽
от 1 шт
| от 2 шт | 1 072,59 ₽ |
| от 3 шт | 1 055,86 ₽ |
| от 4 шт | 1 032,06 ₽ |
| от 6 шт | 991,75 ₽ |
Наличие
10 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237607
Доставка и самовывоз
Цена
1 344,45 ₽
от 3 шт
Наличие
7 шт
Упаковка: 3 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.