📦
IXFN50N120SIC
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
1200 В, 47 А, 0.05 Ом, 2.6 В
Предложений: 2 · Всего: 3 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В |
| Ток стока (Id) | 47 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.05 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.6 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | NO |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1900 пФ |
| Тип канала | ? |
| Рабочая температура | от 40 до 150 |
| Корпус | SOT-227B |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXFN50N120SICIXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 3154665
Склад Москва
Цена
16 949,68 ₽
от 1 шт
Наличие
2 шт
Упаковка: 10 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359211
Доставка и самовывоз
Цена
20 054,86 ₽
от 1 шт
Наличие
1 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.