IXTP3N120
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: IXYSЗапад
1200 В, 3 А, 4.5 Ом, 5 В
Предложений: 2 · Всего: 50 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 1200 В |
| Ток стока (Id) | 3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 4.5 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1350 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TO-220AB |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:IXTP3N120IXYSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 349061
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
404,81 ₽
от 1 шт
| от 5 шт | 382,55 ₽ |
| от 10 шт | 364,41 ₽ |
| от 20 шт | 350,93 ₽ |
| от 50 шт | 340,90 ₽ |
Наличие
29 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237553
Доставка и самовывоз
Цена
455,53 ₽
от 10 шт
Наличие
21 шт
Упаковка: 10 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.