📦
MBRS360T3G
Диоды Шоттки · Производитель: FuxinSemiКитай
60 В, 3 А, 3 мА, 125 А
Предложений: 3 · Всего: 50 189 шт
Технические параметры
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 60 В |
| Средний прямой ток (I_F(AV)) | 3 А |
| Макс. прямой ток (I_F) | 3 мА |
| Ударный прямой ток (I_FSM) | 125 А |
| Прямое напряжение (V_F) | 0.5 В |
| Обратный ток (I_R) | 150 мкА |
| Рабочая температура (T_j) | от -65 до 175 °C |
| Корпус | SMC |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:MBRS360T3GFuxinSemiДиоды Шоттки
Поставщик
Радиотехтрейд
Арт.: UT-00148093
Москва самовывоз
Цена
4,85 ₽
от 1 шт
| от 2 500 шт | 4,07 ₽ |
Наличие
16 153 шт
Упаковка: 2500 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 329723
Доставка и самовывоз
Цена
4,54 ₽
от 1 шт
Наличие
16 355 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 53355
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
16,06 ₽
от 19 шт
| от 339 шт | 14,61 ₽ |
| от 678 шт | 13,64 ₽ |
| от 1 355 шт | 12,78 ₽ |
| от 2 500 шт | 12,23 ₽ |
Наличие
17 681 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
12 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.