📦
NCE60H10K
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: NCEКитай
60 В, 100 А, 0.0055 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 2 657 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 100 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0055 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 170 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4900 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:NCE60H10KNCEТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5591151
Склад Москва
Цена
15,91 ₽
от 1 шт
Наличие
1 538 шт
Упаковка: 2500 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 316951
Доставка и самовывоз
Цена
18,82 ₽
от 1 шт
Наличие
1 119 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.