SI1026X-T1-GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
60 В, 0.5 А, 1.4 Ом, 2 В
Предложений: 2 · Всего: 2 182 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 0.5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.4 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 130 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 30 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SC-89 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SI1026X-T1-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 232147
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
19,78 ₽
от 16 шт
| от 29 шт | 19,05 ₽ |
| от 58 шт | 18,05 ₽ |
| от 115 шт | 16,71 ₽ |
| от 230 шт | 15,36 ₽ |
Наличие
1 284 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 238680
Доставка и самовывоз
Цена
23,84 ₽
от 58 шт
Наличие
898 шт
Упаковка: 58 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.