SI2301
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: YONGYUTAIКитай
20 В, 3 А, 0.066 Ом, 1 В
Предложений: 2 · Всего: 38 630 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 3 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.066 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 405 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SI2301YONGYUTAIТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
РУ Электроникс
Арт.: 119443
Москва самовывоз. Платно: Деловые линии, СДЭК, ПЭК
Цена
1,07 ₽
от 1 шт
| от 10 шт | 1,07 ₽ |
Наличие
21 945 шт
Доставка
2 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 526693
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
1,55 ₽
от 194 шт
| от 494 шт | 1,32 ₽ |
| от 987 шт | 1,16 ₽ |
| от 1 974 шт | 1,03 ₽ |
| от 6 000 шт | 0,95 ₽ |
Наличие
16 685 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.