SI2374DS-T1-GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
20 В, 5.9 А, 0.041 Ом, 1 В
Предложений: 2 · Всего: 3 556 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 20 В |
| Ток стока (Id) | 5.9 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.041 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.7 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 735 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SI2374DS-T1-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 356805
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
17,26 ₽
от 18 шт
| от 33 шт | 16,57 ₽ |
| от 66 шт | 15,64 ₽ |
| от 131 шт | 14,42 ₽ |
| от 261 шт | 13,23 ₽ |
Наличие
2 062 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 266656
Доставка и самовывоз
Цена
20,75 ₽
от 66 шт
Наличие
1 494 шт
Упаковка: 66 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.