📦
SIDR680DP-T1-GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
80 В, 32.8 А, 0.0029 Ом, 3.4 В
Предложений: 2 · Всего: 3 053 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 80 В |
| Ток стока (Id) | 32.8 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0029 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 3.4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5150 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | PowerPAKSO-8DC |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SIDR680DP-T1-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 3496375
Склад Москва
Цена
469,65 ₽
от 1 шт
| от 8 шт | 452,78 ₽ |
| от 13 шт | 443,77 ₽ |
| от 21 шт | 436,49 ₽ |
Наличие
1 767 шт
Упаковка: 845 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359265
Доставка и самовывоз
Цена
535,73 ₽
от 10 шт
Наличие
1 286 шт
Упаковка: 10 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.