📦
SIS110DN-T1-GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
100 В, 5.2 А, 0.054 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 169 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 5.2 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.054 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 15 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 550 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SO-8 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SIS110DN-T1-GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 3967260
Склад Москва
Цена
42,10 ₽
от 1 шт
Наличие
98 шт
Упаковка: 1200 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359270
Доставка и самовывоз
Цена
49,82 ₽
от 1 шт
Наличие
71 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.