📦
SQJQ160E-T1_GE3
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: VishayЗапад
60 В, 0.00055 Ом, 2 В, 200 Вт
Предложений: 1 · Всего: 211 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.00055 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 11 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | PowerPAK-5(8x8) |
| Тип | N-Channel |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SQJQ160E-T1_GE3VishayТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 333645
Доставка и самовывоз
Цена
273,76 ₽
от 40 шт
Наличие
211 шт
Упаковка: 40 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.