SSM3J332R.LF[T
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: TOSКитай
10 В, 6 А, 0.036 Ом, 1.2 В
Предложений: 2 · Всего: 263 982 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 10 В |
| Ток стока (Id) | 6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.036 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 560 пФ |
| Тип канала | P-канальный |
| Корпус | SOT-23F |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:SSM3J332R.LF[TTOSТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 2089795
Склад Москва
Цена
5,08 ₽
от 1 шт
| от 650 шт | 4,23 ₽ |
| от 1 100 шт | 3,75 ₽ |
| от 1 850 шт | 3,37 ₽ |
Наличие
255 198 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 465936
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
6,44 ₽
от 47 шт
| от 262 шт | 5,55 ₽ |
| от 523 шт | 4,81 ₽ |
| от 1 045 шт | 4,25 ₽ |
| от 2 089 шт | 3,87 ₽ |
Наличие
8 784 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.