STB23NM50N
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
500 В, 17 А, 0.19 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 1 363 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 500 В |
| Ток стока (Id) | 17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.19 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1330 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-263 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STB23NM50NST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150081
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
259,33 ₽
от 2 шт
| от 15 шт | 245,56 ₽ |
| от 29 шт | 234,64 ₽ |
| от 58 шт | 225,04 ₽ |
| от 115 шт | 218,55 ₽ |
Наличие
810 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163329
Доставка и самовывоз
Цена
292,40 ₽
от 29 шт
Наличие
553 шт
Упаковка: 29 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.