STB28NM50N
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
500 В, 21 А, 0.158 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 723 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 500 В |
| Ток стока (Id) | 21 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.158 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1735 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STB28NM50NST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150084
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
319,95 ₽
от 1 шт
| от 13 шт | 303,46 ₽ |
| от 25 шт | 290,36 ₽ |
| от 49 шт | 278,86 ₽ |
| от 98 шт | 271,08 ₽ |
Наличие
439 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163332
Доставка и самовывоз
Цена
361,34 ₽
от 25 шт
Наличие
284 шт
Упаковка: 25 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.