STB6NK60ZT4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
600 В, 6 А, 1.2 Ом, 4.5 В
Предложений: 2 · Всего: 3 099 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В |
| Ток стока (Id) | 6 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 1.2 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 905 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STB6NK60ZT4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 138470
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
107,25 ₽
от 3 шт
| от 31 шт | 100,69 ₽ |
| от 61 шт | 95,49 ₽ |
| от 122 шт | 90,92 ₽ |
| от 243 шт | 87,83 ₽ |
Наличие
1 825 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163147
Доставка и самовывоз
Цена
119,90 ₽
от 61 шт
Наличие
1 274 шт
Упаковка: 61 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.