STB6NK90ZT4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
900 В, 5.8 А, 2 Ом, 4.5 В
Предложений: 2 · Всего: 24 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 900 В |
| Ток стока (Id) | 5.8 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 2 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 140 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1350 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STB6NK90ZT4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150094
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
86,12 ₽
от 2 шт
| от 14 шт | 84,66 ₽ |
| от 28 шт | 82,74 ₽ |
| от 55 шт | 80,05 ₽ |
| от 109 шт | 76,62 ₽ |
Наличие
23 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163336
Доставка и самовывоз
Цена
100,82 ₽
от 28 шт
Наличие
1 шт
Упаковка: 28 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.