STD10NM60ND
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
600 В, 8 А, 0.55 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 911 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 600 В |
| Ток стока (Id) | 8 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.55 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 540 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | DPAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STD10NM60NDST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 240538
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
57,54 ₽
от 6 шт
| от 11 шт | 56,29 ₽ |
| от 22 шт | 54,53 ₽ |
| от 43 шт | 51,86 ₽ |
| от 86 шт | 48,36 ₽ |
Наличие
564 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 266692
Доставка и самовывоз
Цена
70,46 ₽
от 22 шт
Наличие
347 шт
Упаковка: 22 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.