STD15NF10T4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
100 В, 23 А, 0.065 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 1 457 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 23 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.065 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 70 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 870 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | TO-252 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STD15NF10T4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 150103
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
48,54 ₽
от 7 шт
| от 13 шт | 47,39 ₽ |
| от 26 шт | 45,79 ₽ |
| от 51 шт | 43,39 ₽ |
| от 101 шт | 40,35 ₽ |
Наличие
871 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163342
Доставка и самовывоз
Цена
59,40 ₽
от 26 шт
Наличие
586 шт
Упаковка: 26 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.