STD17NF03LT4
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
30 В, 17 А, 0.06 Ом, 2.2 В
Предложений: 2 · Всего: 1 485 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 30 В |
| Ток стока (Id) | 17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.06 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 320 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 175 |
| Корпус | DPAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:STD17NF03LT4ST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 138512
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
40,03 ₽
от 8 шт
| от 47 шт | 36,68 ₽ |
| от 94 шт | 33,93 ₽ |
| от 187 шт | 31,87 ₽ |
| от 373 шт | 30,32 ₽ |
Наличие
884 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 163163
Доставка и самовывоз
Цена
43,67 ₽
от 94 шт
Наличие
601 шт
Упаковка: 94 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.