TK100E10N1,S1X(S
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ToshibaАзия
100 В, 100 А, 0.0034 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 694 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 100 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0034 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 255 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 8800 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | TO-220 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:TK100E10N1,S1X(SToshibaТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 244926
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
117,19 ₽
от 3 шт
| от 18 шт | 109,22 ₽ |
| от 35 шт | 102,72 ₽ |
| от 100 шт | 97,88 ₽ |
| от 150 шт | 94,27 ₽ |
Наличие
413 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 237522
Доставка и самовывоз
Цена
130,06 ₽
от 35 шт
Наличие
281 шт
Упаковка: 35 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.