VNB35NV04TR-E
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
0 В, 15 А, 0.013 Ом, NO
Предложений: 1 · Всего: 25 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 0 В |
| Ток стока (Id) | 15 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.013 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | NO |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | NO |
| Тип канала | ? |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | D2PAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:VNB35NV04TR-EST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 420742
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
405,59 ₽
от шт
| от 3 шт | 400,88 ₽ |
| от 6 шт | 395,04 ₽ |
| от 12 шт | 387,31 ₽ |
| от 24 шт | 376,51 ₽ |
Наличие
25 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.