VND10N06TR-E
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
60 В, 10 А, 0.3 Ом, NO
Предложений: 2 · Всего: 2 645 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 10 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.3 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | NO |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | NO |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | DPAK |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:VND10N06TR-EST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 255346
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
117,68 ₽
от 3 шт
| от 18 шт | 109,70 ₽ |
| от 35 шт | 103,20 ₽ |
| от 69 шт | 98,35 ₽ |
| от 137 шт | 94,73 ₽ |
Наличие
1 550 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 301587
Доставка и самовывоз
Цена
130,64 ₽
от 35 шт
Наличие
1 095 шт
Упаковка: 35 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.