VND7NV04TR-E
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: ST MicroelectronicsЗапад
40 В, 3.5 А, 0.06 Ом, NO
Предложений: 2 · Всего: 1 051 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 40 В |
| Ток стока (Id) | 3.5 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.06 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | NO |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | NO |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-223 |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:VND7NV04TR-EST MicroelectronicsТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 255410
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
80,98 ₽
от 4 шт
| от 43 шт | 75,67 ₽ |
| от 85 шт | 71,45 ₽ |
| от 170 шт | 67,76 ₽ |
| от 339 шт | 65,26 ₽ |
Наличие
618 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 301581
Доставка и самовывоз
Цена
90,10 ₽
от 85 шт
Наличие
433 шт
Упаковка: 85 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.