VS-HFA04TB60-M3
Диоды Шоттки · Производитель: VishayЗапад
600 В, 4 А, 4 мА, 25 А
Предложений: 3 · Всего: 2 727 шт
Технические параметры
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 600 В |
| Средний прямой ток (I_F(AV)) | 4 А |
| Макс. прямой ток (I_F) | 4 мА |
| Ударный прямой ток (I_FSM) | 25 А |
| Прямое напряжение (V_F) | 1.5 В |
| Обратный ток (I_R) | 0.17 мкА |
| Время обратного восстановления (t_rr) | 28 нс |
| Рабочая температура (T_j) | от -55 до 150 |
| Корпус | TO-220AC |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:VS-HFA04TB60-M3VishayДиоды Шоттки
Поставщик
Триатрон
Арт.: 362408
Доставка и самовывоз
Цена
68,17 ₽
от 40 шт
Наличие
546 шт
Упаковка: 40 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 377701
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
72,44 ₽
от 5 шт
| от 100 шт | 68,05 ₽ |
| от 200 шт | 65,11 ₽ |
| от 350 шт | 62,52 ₽ |
| от 650 шт | 60,78 ₽ |
Наличие
1 288 шт
Доставка
По запросу
Поставщик
Триатрон
Арт.: 203005
Доставка и самовывоз
Цена
80,93 ₽
от 200 шт
Наличие
893 шт
Упаковка: 200 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
12 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.