📦
WMB043N10HGS
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: WayonКитай
100 В, 120 А, 0.0039 Ом, 2 В
Предложений: 3 · Всего: 8 520 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 120 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0039 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 131.6 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6865 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | PDFN5060-8L |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:WMB043N10HGSWayonТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5031466
Склад Москва
Цена
44,48 ₽
от 1 шт
Наличие
4 592 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 317208
Доставка и самовывоз
Цена
52,63 ₽
от 1 шт
Наличие
3 342 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Промэлектроника
Арт.: 542197
Платно DPD, Деловые линии, Почта России, СДЭК
Цена
67,71 ₽
от 5 шт
| от 29 шт | 62,63 ₽ |
| от 57 шт | 58,48 ₽ |
| от 114 шт | 55,38 ₽ |
| от 227 шт | 53,06 ₽ |
Наличие
586 шт
Доставка
По запросу
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.