📦
WMB080N10HG2
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: WayonКитай
100 В, 74 А, 0.008 Ом, 4 В
Предложений: 2 · Всего: 76 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 74 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.008 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 4 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 80.6 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2250 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | TDSON-8(5.1x5.9) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:WMB080N10HG2WayonТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5037757
Склад Москва
Цена
38,58 ₽
от 1 шт
| от 80 шт | 35,09 ₽ |
| от 140 шт | 33,12 ₽ |
| от 240 шт | 31,56 ₽ |
Наличие
44 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 317207
Доставка и самовывоз
Цена
41,52 ₽
от 80 шт
Наличие
32 шт
Упаковка: 80 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.