📦
YJG80G06B
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: YangjieКитай
60 В, 80 А, 0.0042 Ом, 2.5 В
Предложений: 1 · Всего: 1 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 60 В |
| Ток стока (Id) | 80 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 0.0042 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 96 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4000 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | PDFN5060-8L |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:YJG80G06BYangjieТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 5024340
Склад Москва
Цена
49,43 ₽
от 1 шт
| от 67 шт | 45,35 ₽ |
| от 113 шт | 43,06 ₽ |
| от 187 шт | 41,24 ₽ |
Наличие
1 шт
Упаковка: 5000 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Других предложений не найдено
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.