📦
BSS123
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: Galaxy MEКитай
100 В, 0.17 А, 3 Ом, 2.5 В
Предложений: 1 · Всего: 2 189 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 0.17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 3 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 2.5 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.35 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 15 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Вес | 0.03 |
| В упаковке | 3000 |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSS123Galaxy MEТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Триатрон
Арт.: 266699
Доставка и самовывоз
Цена
2,48 ₽
от 205 шт
Наличие
2 189 шт
Упаковка: 205 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.