📦
BSS123
Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) · Производитель: JSCJКитай
100 В, 0.17 А, 10 Ом, 1.7 В
Предложений: 2 · Всего: 273 604 шт
Технические параметры
| Напряжение сток-исток (Vds) | 100 В |
| Ток стока (Id) | 0.17 А |
| Сопротивление открытого канала (Rdson) | 10 Ом |
| Пороговое напряжение (Vgs th) | 1.7 В |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 0.36 Вт |
| Входная ёмкость (Ciss) | 73 пФ |
| Тип канала | N-канальный |
| Рабочая температура | от 55 до 150 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Вес | 0.03 |
| В упаковке | 3000 |
| Монтаж | поверхностный (SMT) |
Где купить
Добавьте позиции в корзину — заказ оформляется у поставщиков
Текущая привязка:BSS123JSCJТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Поставщик
Компэл
Арт.: 4277034
Склад Москва
Цена
2,75 ₽
от 1 шт
| от 1 200 шт | 2,24 ₽ |
| от 1 975 шт | 1,96 ₽ |
| от 3 300 шт | 1,73 ₽ |
Наличие
158 336 шт
Упаковка: 3000 шт
Доставка
1 дн.
Поставщик
Триатрон
Арт.: 359067
Доставка и самовывоз
Цена
2,65 ₽
от 1200 шт
Наличие
115 268 шт
Упаковка: 1200 шт
Доставка
1 дн.
Это наименование у всех поставщиков без привязки к бренду
Новости по теме
17 октября 2026 г. · Китайские новинки
Бесколлекторная дрель на 12 В уходит в защиту: четыре ловушки при выборе MOSFET
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
15 октября 2026 г. · Силовые полупроводники
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Цены и наличие актуальны на момент последнего обновления склада. Курс ЦБ РФ обновляется ежедневно. Окончательные условия уточняйте на сайте поставщика.