Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

17 из 3124

Наименование	Произв.	Напряжение сток-исток (Vds), В	Ток стока (Id), А	Сопротивление открытого канала (Rdson), Ом	Пороговое напряжение (Vgs th), В	Рассеиваемая мощность (Pd), Вт	Входная ёмкость (Ciss), пФ	Тип канала	Корпус
AP40T03GH	APEC	30	28	0.002	1	31.25	655	N-канальный	TO-252 (DPAK)
AP6679GH	APEC	30	75	0.002	1	89	2870	P-канальный	TO-252 (DPAK)
AP9435GK	APEC	30	6	0.002	1	2.7	570	P-канальный	SOT-223 (TO-261)
AP9962AGH	APEC	40	32	0.002	1	27	820	N-канальный	TO-252 (DPAK)
AP9971GH	APEC	60	25	0.05	3	39	2700	N-канальный	TO-252 (DPAK)
AP4511GM	APEC	35	6.1	0.002	1	2	830	P-канальный	SOIC-8
AP4525GEH	APEC	40	12	0.06	3	10.4	1230	Комплементарный (N+P)	TO-252 (DPAK)
AP9971GD	APEC	60	5	0.002	1	2	1560	N-канальный	DIP-8
AP9971GM	APEC	60	5	0.002	1	2	1658	N-канальный	SOIC-8
AP4511GED	APEC	40	—	0.028	3	2	940	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
AP4511GH	APEC	40	—	0.028	3	10.4	1330	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
AP4563GH	APEC	40	—	0.03	3	3.13	1760	Комплементарный (N+P)	TO-252-4L
AP9563GH	APEC	40	26	0.04	3	39	1140	P-канальный	TO-252 (DPAK)
AP4533GEM	APEC	—	—	0.018	3	2	860	Комплементарный (N+P)	SOIC-8
AP9972GR	APEC	60	60	0.018	3	89	3170	N-канальный	TO-262
AP9997GM	APEC	95	3	0.11	3	2	450	N-канальный	SOIC-8
AP18N20GH-HF	APEC	200	18	0.002	2	89	1065	N-канальный	TO-252 (DPAK)