Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Toshiba выпустила электронные предохранители с работой от 1,7 В в малом корпусе
Четыре прибора серии TCKE5 работают при входном напряжении от 1,7 до 5,5 В и впервые в линейке компании поддерживают шину 1,8 В. Корпус SOT-353F размером 2,0 × 2,1 × 0,7 мм экономит место на плате носимых и малогабаритных устройств.
Rapidus создаёт экосистему CORE для разработки и выпуска 2-нанометровых микросхем
Японская компания объединяет в единую структуру исследовательские организации, разработчиков средств проектирования, поставщиков готовых блоков, проектировщиков и производство. Первым шагом стала группа Design Solution Associates из 17 проектных компаний.
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Сдвоенный модуль IX800FXF2YMS4 на транзисторах третьего поколения из карбида кремния предназначен для тяговых инверторов, твердотельных трансформаторов, источников бесперебойного питания и промышленных приводов. Встроенный диод выдерживает перегрузку с показателем I²t 300 кА²·с.
Toshiba выпустила экономичные двухканальные цифровые изоляторы
Серия DCL32xx00 передаёт данные со скоростью до 25 Мбит/с при типовом токе 0,2 мА на канал, выдерживает 3000 В (среднеквадратичное значение) в течение 60 секунд и устойчива к скорости изменения синфазного напряжения не менее 30 кВ/мкс.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.