Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
РазделыРынок 79Производство 22Микросхемы и вычисления 71Компоненты 99Системы и применения 104Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей
Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.
Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В
Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.
Четыре ключевых преимущества SiC JFET: новый взгляд на защиту электрических цепей
В материале onsemi разбирается, почему SiC JFET и Combo JFET становятся ключевым выбором для твердотельных автоматических выключателей (SSCB): крайне низкое R_DS(on), стековая сборка в корпусе TOLL, измерение температуры и тока на кристалле, номинальное напряжение 750 В и простая схема управления.
DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.
От «железного» сердечника к «кремниевому»: 2026-й открывает 100-миллиардный рынок твердотельных трансформаторов
Твердотельные трансформаторы (SST) на SiC переводят преобразование 10 кВ в 800 В постоянного тока в один шаг с КПД 98,5% и становятся обязательным элементом ИИ-ЦОД и накопителей энергии; обзор новинок 2026 года от Eaton, Sungrow, Delta, NARI, Цзиньпань и других производителей с мощностью от 1,25 до 4,2 МВт.
EPC начала серийный выпуск интегральных силовых микросхем на нитриде галлия для 100 В
Семейство EPC23108/09/10/11 объединяет верхний и нижний транзисторы eGaN, драйверы затвора и схему сдвига уровня в корпусе QFN. Токи 20 и 35 А, работа при 100% коэффициенте заполнения, быстрое отключение при аварии.
Power Integrations выпустила одноплатный драйвер затвора для двухканальных IGBT-модулей 1,2–2,3 кВ
SCALE-iFlex XLT подходит к модулям LV100 от Mitsubishi, XHP 2 от Infineon и HPnC от Fuji Electric с напряжением до 2300 В. Изолированное считывание NTC позволяет поднять мощность преобразователя на 25–30% на том же оборудовании.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.