Силовые полупроводники
Карбид кремния, нитрид галлия, IGBT и MOSFET, силовые модули и драйверы затвора.
Рынок
Микросхемы и вычисления
Компоненты
Темы
Датчики 13Печатные платы 10Робототехника 10Память 8Источники питания 6Конденсаторы 5Nvidia 4Карбид кремния 4IGBT 3Infineon 3MLCC 3Дисплеи 3Кремниевые пластины 3Лидары 3Микросхемы питания 3Нитрид галлия 3Оптические модули 3Электромобили 3CXMT 2MOSFET 2Quectel 2onsemi 2Драйверы затвора 2Сервоприводы 2
Тема «Карбид кремния» · Показано 1–2 из 2 · сбросить тему
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.