Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
Плата на транзисторах GaNFast преобразует 800 В постоянного тока прямо в 12 В без промежуточной ступени на 50 В. Расчётный КПД при полной нагрузке — 97%, удельная мощность свыше 2000 Вт на кубический дюйм, формат 400 × 60 мм для установки прямо на вычислительную плату.
onsemi и Sungrow: гибридные SiC-модули в накопителях энергии промышленного масштаба
Платформа Sungrow PowerTitan 3.0 построена на гибридных силовых модулях EliteSiC от onsemi и трёхуровневой схеме инвертора: КПД инверторной ступени вырос на 0,4%, мощность блока преобразования доходит до 450 кВт. На накопителе 100 МВт это даёт экономию более 475 МВт·ч в год.
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
У транзисторов на нитриде галлия высокое напряжение открывания в обратном направлении, и встроенный диод Шоттки заметно улучшает дело. Группа из Юго-Восточного университета объединила на одном кристалле MIS-HEMT и диод с двумя каналами: напряжение упало до 1,55 В, а напряжение пробоя выросло до 860 В.
Xianyi Micro привлекла финансирование на микросхемы с магнитной изоляцией
Шэньчжэньская компания — первый в Китае серийный производитель микросхем магнитной изоляции — закрыла раунд A на десятки миллионов юаней и открыла восточный головной офис в Уси. У её технологии FluxCoupler изоляция выше 20 кВ, а стойкость к синфазным помехам превышает 200 кВ/мкс.
Qualcomm выпустила два смартфонных процессора с упором на ИИ
Snapdragon 8 Elite Gen 6 и Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 получили новый сенсорный хаб, способный выполнять модели до 200 млн параметров, а старшая версия запускает локально MoE-модель на 30 млрд параметров. Первым аппаратом на Extreme стал Motorola Signature 27.
Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов
Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.
Toshiba выпустила силовой модуль на SiC-MOSFET для 3300 В и 800 А
Сдвоенный модуль IX800FXF2YMS4 на транзисторах третьего поколения из карбида кремния предназначен для тяговых инверторов, твердотельных трансформаторов, источников бесперебойного питания и промышленных приводов. Встроенный диод выдерживает перегрузку с показателем I²t 300 кА²·с.
Vishay выпустила силовые модули на 650 В с суперпереходными MOSFET
Четыре модуля в корпусе SOT-227 рассчитаны на токи 50, 100 и 150 А; один из них — низковольтный ключ с интегрированным диодом на карбиде кремния. Корпус стандартный, поэтому заменить прибор в готовой конструкции можно без переработки платы.
Гибридный контактор на тиристорах и SiC JFET для асинхронных двигателей
Исследователи ABB объединили кремниевые тиристоры с каскодными транзисторами на карбиде кремния: тиристоры держат восьмикратные пусковые перегрузки, а JFET обеспечивают высокий КПД на рабочем токе. Прототип показал КПД 99,62% и коэффициент гармоник 1,24%.
Murata покажет на electronica 2026 питание для SiC-драйверов и инерциальный модуль с микроконтроллером
На выставке компания представит изолированные преобразователи MGJ2T2 для питания драйверов затворов высоковольтных SiC-транзисторов и шестиосевой инерциальный модуль SCI36LT с собственным микроконтроллером в корпусе LGA. Подробные характеристики обоих изделий пока не раскрыты.
Infineon и Eaton готовят твердотельные трансформаторы на SiC для ИИ-дата-центров
Infineon поставит Eaton силовые приборы на карбиде кремния для платформы MVSST 2.0 — твердотельных трансформаторов среднего напряжения под архитектуры питания 800 В постоянного тока.
Infineon закрыла сделку по покупке C2i Semiconductors
Компания из Бангалора разрабатывает программно определяемые многофазные контроллеры и интеллектуальные силовые каскады для ИИ-дата-центров. Её команда вошла в подразделение Power Systems.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.
Отчёт по MOCVD: китайские установки заняли 78% новых инсталляций в Китае
Цзивэй Цзысюнь выпустила исследование отрасли MOCVD-оборудования: в 2025 году китайские установки заняли 78% новых инсталляций в Китае, а мировой рынок вырос на 10,30%, до 1,246 млрд долларов. Узким местом локализации остаются ключевые узлы.
Гибридные размыкатели на SiC и кремнии: ниже стоимость, выше характеристики
Разбор результатов исследований гибридного твердотельного размыкателя цепи, в котором параллельно включены кремниевый IGBT и SiC MOSFET. Сравниваются потери проводимости, стоимость, выбросы напряжения и перегрузочная способность относительно решений только на SiC и только на IGBT.
Как CAN XL заполняет разрыв между CAN FD и Ethernet
Гуманоидные роботы, коллаборативные манипуляторы и автономные мобильные роботы генерируют больше данных, чем рассчитана традиционная шина CAN, но далеко не каждому узлу нужен Ethernet. CAN XL расширяет сети на базе CAN для систем, которым не хватает пропускной способности CAN FD, без перехода на Ethernet.
Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт
Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.
Китайские чипы аутентификации выводят беспроводную зарядку на уровень «заряжать безопасно»
Цзыгуан Тунсинь (紫光同芯) продвигает чипы аутентификации T9 для беспроводной зарядки: потребительскую серию T91 и автомобильную T97, соответствующие Qi/Qi2/Qi2.2 и сертифицированные по AEC-Q100. Статья объясняет, почему безопасность и доверие становятся главным критерием в зарядке.