Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Navitas и NVIDIA сделали плату питания на 24 кВт с преобразованием 800 В в 12 В
Плата на транзисторах GaNFast преобразует 800 В постоянного тока прямо в 12 В без промежуточной ступени на 50 В. Расчётный КПД при полной нагрузке — 97%, удельная мощность свыше 2000 Вт на кубический дюйм, формат 400 × 60 мм для установки прямо на вычислительную плату.
TI представила АЦП на 3 Гвыб/с для контроля питания в ИИ-дата-центрах
Преобразователь ADC34DSO75 с частотой выборки 3 млрд отсчётов в секунду улавливает кратковременные нарушения питания с наносекундным разрешением. Вместе с ним TI показала изолированный контроллер горячей замены на 800 В и генератор с дрожанием 9,6 фс.
Монолитная интеграция диода Шоттки с GaN-транзистором снизила напряжение обратной проводимости на 41%
У транзисторов на нитриде галлия высокое напряжение открывания в обратном направлении, и встроенный диод Шоттки заметно улучшает дело. Группа из Юго-Восточного университета объединила на одном кристалле MIS-HEMT и диод с двумя каналами: напряжение упало до 1,55 В, а напряжение пробоя выросло до 860 В.
Переход на миллиметровые волны: межсоединения становятся главной трудностью
С выходом связи в диапазон выше 30 ГГц потери в переходах, отверстиях и разъёмах становятся определяющими, а межсоединения и корпусирование приходится проектировать вместе с радиочастотной частью. Об этом пишет доктор Тюдор Уильямс из Filtronic.
Сначала посмотри, потом режь: как находят первопричину отказов силовых приборов
Руководитель электронного направления Zeiss Microscopy Томас Роджерс рассказывает, как в лабораториях анализа отказов ищут причину выхода из строя SiC-MOSFET, IGBT и GaN-транзисторов: неразрушающая трёхмерная рентгеновская съёмка перед разрезанием образца, фемтосекундная лазерная абляция, полировка ионным пучком и возвращение старых методов вроде электронно-канального контраста.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения: четыре транзистора на 100 В
Четыре транзистора E-типа на нитриде галлия имеют сопротивление открытого канала от 1,2 до 5 мОм и выводятся в корпусах, совместимых с кремниевыми MOSFET. Добротность при жёстком переключении у них ниже на 35%, при мягком — на 63%, а заряд обратного восстановления отсутствует.
Renesas вывела нитрид галлия в низковольтные применения на 100 В
Первое семейство дискретных транзисторов на нитриде галлия с нормально закрытым каналом рассчитано на ИИ-дата-центры, роботов и промышленные приводы. Потери переключения ниже на 40–70%, а посадочное место совместимо с кремниевыми MOSFET.
Murata покажет на electronica 2026 питание для SiC-драйверов и инерциальный модуль с микроконтроллером
На выставке компания представит изолированные преобразователи MGJ2T2 для питания драйверов затворов высоковольтных SiC-транзисторов и шестиосевой инерциальный модуль SCI36LT с собственным микроконтроллером в корпусе LGA. Подробные характеристики обоих изделий пока не раскрыты.
Infineon закрыла сделку по покупке C2i Semiconductors
Компания из Бангалора разрабатывает программно определяемые многофазные контроллеры и интеллектуальные силовые каскады для ИИ-дата-центров. Её команда вошла в подразделение Power Systems.
Qorvo начала поставлять образцы микросхем C-диапазона для импульсных радаров с АФАР
В набор вошли переключаемый блок фильтров на объёмных акустических волнах QPB1055 и усилители мощности QPA2311 на 50 Вт и QPA0018 на 200 Вт — последний снимает необходимость во внешнем мощном драйверном каскаде.
Широкозонные полупроводники: обзор новостей за сентябрь 2026 года
Месячный обзор ключевых новостей о карбиде кремния, нитриде галлия и широкозонных материалах. В выпуске: новые SiC-модули и процессы, сделки и альянсы Infineon, Navitas, Magnachip и DB HiTek, решения на GaN для ЦОД искусственного интеллекта, приводов и радаров. Отдельный раздел посвящён исследованиям широкозонных материалов — от гексагонального алмаза и NbAlN до двумерного оксида галлия.
В Сингапуре открылась первая 12-дюймовая фабрика VSMC
Совместное предприятие Vanguard International Semiconductor и NXP запустило в Сингапуре первую 12-дюймовую фабрику, капитальные затраты на которую составили 45 млрд юаней. Мощности первой очереди полностью выкуплены заказчиками.
Госюань Гаокэ и Volkswagen создают три СП с вложениями 24,5 млрд юаней
Госюань Гаокэ подписала инвестиционное соглашение с Volkswagen Group и её аккумуляторной дочерней компанией PowerCo о создании совместных предприятий в Испании, Словакии и Марокко. Там построят производства литиевых аккумуляторов и катодных материалов общей стоимостью около 3,222 млрд евро.
Отчёт по MOCVD: китайские установки заняли 78% новых инсталляций в Китае
Цзивэй Цзысюнь выпустила исследование отрасли MOCVD-оборудования: в 2025 году китайские установки заняли 78% новых инсталляций в Китае, а мировой рынок вырос на 10,30%, до 1,246 млрд долларов. Узким местом локализации остаются ключевые узлы.
Широкополосный распределённый усилитель для ЦОД, измерительных систем и датчиков
Исследователи Fraunhofer IAF разработали монолитную СВЧ интегральную схему (MMIC) — распределённый усилитель с усилением 11 ± 2 дБ в диапазоне от 4 до 420 ГГц на 20-нм HEMT InGaAs-on-Si. Чип покажут на EuMW 2026 в Лондоне.
Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт
Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.
BYD и Цзили вошли в первую десятку рейтинга 500 крупнейших частных компаний Китая
22 сентября Всекитайская федерация промышленности и торговли опубликовала рейтинг 500 крупнейших частных предприятий Китая 2026 года: BYD на 5-м месте, Цзили — на 8-м. Совокупная выручка участников составила 44,93 трлн юаней; заметно поднялись XPeng, Leapmotor и производители аккумуляторов.
CATL о повышении цен на накопительные ячейки: обычная корректировка
Онлайн-магазин CATL обновил цены на ячейки для систем накопления энергии: ячейка 280 А·ч (1P) подорожала на 1,1%, 314 А·ч — на 2,0%, впервые объявлена цена ячейки 587 А·ч. В компании назвали это обычной корректировкой на фоне роста цен на сырьё.