Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
onsemi представила платформу встраиваемого питания EPP: прорывная архитектура для эпохи ИИ
onsemi объявила о платформе встраиваемого питания EPP, которая объединяет несколько кристаллов в одном кремниевом приборе, используя саму пластину как носитель корпуса; плотность мощности до 3–5 раз выше существующих решений, первый партнёр по оценке платформы — Subaru.
Четыре ключевых преимущества SiC JFET: новый взгляд на защиту электрических цепей
В материале onsemi разбирается, почему SiC JFET и Combo JFET становятся ключевым выбором для твердотельных автоматических выключателей (SSCB): крайне низкое R_DS(on), стековая сборка в корпусе TOLL, измерение температуры и тока на кристалле, номинальное напряжение 750 В и простая схема управления.
Надёжность оптопар: проектирование оптической изоляции для сетевых активов со сроком службы 25 лет
Разбор white paper TT Electronics по архитектурной надёжности оптической изоляции: поведение CTR, деградация GaAs-светодиода, требования к драйверам затворов SiC/GaN и стандарты IEC 60747-5-5 / VDE 0884-17 для активов энергосети с 25-летним жизненным циклом.
DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах
Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.
От «железного» сердечника к «кремниевому»: 2026-й открывает 100-миллиардный рынок твердотельных трансформаторов
Твердотельные трансформаторы (SST) на SiC переводят преобразование 10 кВ в 800 В постоянного тока в один шаг с КПД 98,5% и становятся обязательным элементом ИИ-ЦОД и накопителей энергии; обзор новинок 2026 года от Eaton, Sungrow, Delta, NARI, Цзиньпань и других производителей с мощностью от 1,25 до 4,2 МВт.
Texas Instruments выпустила первый коммерческий приёмопередатчик CAN XL
TCAN6062 поддерживает кадры CAN XL с полезной нагрузкой до 2048 байт и скорость до 20 Мбит/с, сохраняя совместимость с CAN FD и CAN SIC. Защита входов и выходов до ±58 В, подавление звона в сети до 80%.
onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов
Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.
Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ
Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.
Infineon купила C2i Semiconductors — разработчика программно-определяемых контроллеров питания
Компания из Бангалора делает многофазные контроллеры и интеллектуальные силовые каскады для ИИ-дата-центров. Сделка усиливает позиции Infineon в питании серверов и создаёт центр компетенций по цифровому питанию в Индии. Закрытие ожидается в третьем квартале 2026 года.
Нанкин Синьсин: китайские PIN-диоды NX4P как замена MA4P, MA4PK, SMP1331, APD0805 и DH80106-24N
Компания «Нанкин Синьсин Электроник Текнолоджи» представила полностью китайские СВЧ PIN-диоды средней и большой мощности серии NX4P и опубликовала таблицу соответствий с импортными MA4P, MA4PK, MSWSE, MADP, APD, DH80106 и SMP1331 — всего 38 пар для радиосвязи, радиолокации, РЭБ и МРТ.