Новости

Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.

РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
Тема «MOSFET» · Показано 19–30 из 30 · страница 2 из 2 · сбросить тему
КомпонентыЗащита цепейIGBT · MOSFET · ROHM

Гибридные размыкатели на SiC и кремнии: ниже стоимость, выше характеристики

Разбор результатов исследований гибридного твердотельного размыкателя цепи, в котором параллельно включены кремниевый IGBT и SiC MOSFET. Сравниваются потери проводимости, стоимость, выбросы напряжения и перегрузочная способность относительно решений только на SiC и только на IGBT.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · STMicroelectronics · Карбид кремния

Технология SiC от ST позволила платформе DG Matrix Interport достичь 400 кВт

Платформа Interport достигла мощности 400 кВт практически в тех же габаритах при КПД выше 98,5 % для применений с высокой плотностью мощности.

РынокЦены и дефицитIGBT · MOSFET · Источники питания

Ещё плюс 40%: ответ TSMC — подорожание зрелых техпроцессов в 2027 году предрешено

Тайваньские контрактные производители UMC, PSMC и Шицзе Сяньцзинь (世界先进) ответили на скептицизм TSMC рекордной выручкой и планами повышения цен на зрелые техпроцессы до 40% в 2027 году на фоне спроса со стороны ИИ-серверов и сокращения 8-дюймовых мощностей.

Китайские чипы аутентификации выводят беспроводную зарядку на уровень «заряжать безопасно»

Цзыгуан Тунсинь (紫光同芯) продвигает чипы аутентификации T9 для беспроводной зарядки: потребительскую серию T91 и автомобильную T97, соответствующие Qi/Qi2/Qi2.2 и сертифицированные по AEC-Q100. Статья объясняет, почему безопасность и доверие становятся главным критерием в зарядке.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · Печатные платы

Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В

Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.

КомпонентыСиловые полупроводникиMOSFET · Карбид кремния · Кремниевые пластины

DB HiTek квалифицировала техпроцесс SiC MOSFET на 1200 В на 8-дюймовых пластинах

Южнокорейская контрактная фабрика DB HiTek завершила квалификацию надёжности техпроцесса SiC MOSFET на 1200 В на 200-мм пластинах, предоставляет PDK первого и второго поколений, в ноябре выпустит PDK третьего поколения и нацелена на серийное производство в 2027 году.

Синьболэ (XBLW) выпустила zero-drift КМОП-ОУ XOPA333/XOPA2333: смещение 15 мкВ, 350 кГц, потребление 26 мкА

Синьболэ (XBLW) представила одноканальный XOPA333 и двухканальный XOPA2333 — КМОП-операционные усилители с нулевым дрейфом на технологии chopper. Напряжение смещения 15 мкВ, дрейф ±50 нВ/°C, полоса 350 кГц и ток потребления 26 мкА делают их подходящими для измерения тока, сенсорных интерфейсов и прецизионных измерений.

SPES4644 от Данэн Чуанчжи: четырёхканальный DC-DC 4 А на полностью китайской базе с сертификатом класса A

Данэн Чуанчжи представила SPES4644 — четырёхканальный ультратонкий понижающий DC-DC-стабилизатор 4 А в корпусе BGA со встроенными контроллером, MOSFET, дросселями и цепями компенсации. Каналы выдают 0,6–5,5 В при входе 3,6–20 В; микросхема pin-to-pin совместима с зарубежным аналогом и собрана на 100 % китайской базе.

onsemi: кремний и карбид кремния для промышленных накопителей и сервоприводов

Новый модуль FBP закрывает инверторы 350 кВт для солнечной энергетики и 250 кВт для накопителей. Для сервоприводов вышел SiC-модуль на 70 А в том же корпусе SPM31, что и 35-амперный IGBT: удвоение плотности мощности и радиатор впятеро-вдесятеро меньше.

Aratas представила компактное SiC-реле для систем на 3,3 кВ

Твердотельное реле G3VH на карбидкремниевом МОП-транзисторе сочетает низкое сопротивление открытого канала, быстрое переключение и изоляцию 5000 В в компактном корпусе. Выпускается в вариантах на 1800 и 3300 В.

Китайские компонентыАналоги и заменыMOSFET

От «замены» к «новой норме»: жёсткий прорыв цепочки поставок китайских микросхем в 2026 году

Обзор цепочки поставок китайских микросхем в 2026 году: переход от дефицита к проблеме правильного выбора, требования высоконадёжных отраслей, роль специализированных платформ на примере Госинь Цзайсянь (国芯在线, ChipsMate) и прогноз «железного треугольника» дистрибьютор — разработчик — потребитель к 2030 году.

Китайские компонентыАналоги и заменыAnalog Devices · MOSFET · Источники питания

Обзор замены µModule-регуляторов серии LTM46 (Analog Devices): 43 модели с китайскими P2P-аналогами

Обзор серии µModule-регуляторов LTM46 компании Analog Devices (Linear Technology): архитектура SiP, области применения и ход импортозамещения в Китае. Подтверждено наличие китайских pin-to-pin замен для 43 моделей — от LTM4600 до LTM4676.

Заметили ошибку?