Новости
Материалы каталога и лента отраслевых изданий: рынок электронных компонентов, производство полупроводников, поставки.
РазделыРынок 77Производство 22Микросхемы и вычисления 68Компоненты 91Системы и применения 96Китайские компоненты 76все разделы и темы ▾
ST представляет компактный интеллектуальный силовой модуль SLLIMM на 600 В для приводов двигателей
Новый модуль STGI15C60S на 20 А объединяет трёхфазный IGBT-инвертор, драйверы затворов и защитные функции в DBC-корпусе размером 18,8 × 32,8 мм — более чем на 30 % компактнее существующих IGBT-модулей на DBC.
Taiwan Semi расширяет серию TQM сдвоенными MOSFET на 60 В
Новые автомобильные сдвоенные n-канальные MOSFET на 60 В в корпусе PDFN56UD сочетают низкое RDS(on), большой ток стока и смачиваемые боковые контакты для компактных автомобильных силовых схем высокой плотности.
Как проектировать автомобильную электронику, выдерживающую жёсткие условия
Шон Люк (Shawn Luke) из DigiKey, опираясь на беседу с Кирком Улери (Kirk Ulery) из Molex, показывает, как компоненты, прошедшие валидацию по автомобильным стандартам надёжности, решают проблемы коммерческого и промышленного оборудования, работающего в столь же суровых условиях.
onsemi представила платформу встраиваемого питания EPP: прорывная архитектура для эпохи ИИ
onsemi объявила о платформе встраиваемого питания EPP, которая объединяет несколько кристаллов в одном кремниевом приборе, используя саму пластину как носитель корпуса; плотность мощности до 3–5 раз выше существующих решений, первый партнёр по оценке платформы — Subaru.
Сколько дистанции осталось у медного кабеля: на что ставит оптика в эпоху 200G
При переходе на 200 Гбит/с на канал дальность прямого медного кабеля падает с 4–5 до 1–2 м, ограничивая связь XPU одной-двумя стойками; в статье Broadcom описан 850-нм VCSEL для 106 ГБод PAM4 и концепция оптики рядом с корпусом с плотностью более 0,6 Тбит/с на мм и энергоэффективностью около 1 пДж/бит.
MediaTek представила Dimensity 9600 Pro: флагман с продвинутым ИИ, высокой производительностью и низким нагревом
15 сентября 2026 года MediaTek представила флагманские 5G-чипы для агентного ИИ Dimensity 9600 Pro и Dimensity 9600M: 2-нм техпроцесс TSMC, восемь больших ядер с частотой до 4,55 ГГц, поддержка LPDDR6 и UFS 5.0, двойной NPU и запуск MoE-моделей до 30B на устройстве.
GSMA предупреждает: рост цен на смартфоны начального уровня углубляет глобальный ИИ-разрыв
По новому отчёту GSMA, 3,4 млрд человек в мире не пользуются мобильным интернетом, а подорожание чипов памяти, вызванное спросом на ИИ, толкает вверх стоимость смартфонов начального уровня; ассоциация призывает производителей чипсетов и памяти обеспечить поставки доступных компонентов.
Походка и точный захват: драйверы двигателей ST и беспроводное решение ST60 для гуманоидных роботов
STMicroelectronics предлагает для суставов гуманоидных роботов полную линейку — от управляющего микроконтроллера и беспроводного соединения ST60 до драйверов затворов STDRIVE101/STDRIVEG210, GaN-ключей, усилителей измерения тока TSC240/TSC1801/TSC2021 и библиотеки MCSDK — с официальными оценочными наборами.
Стоимость производства PCB растёт по всей цепочке
С начала 2026 года цепочка поставок PCB переживает редкую волну повсеместного подорожания: Kingboard (建滔积层板) семь раз повышала цены, стеклоткань 7628 подорожала с 3,8 до 10,2 юаня за метр, а перелом ожидается не ранее середины — второй половины 2027 года.
Останавливают одно и расширяют другое: какую партию разыгрывают производители MLCC?
Murata снимает с производства часть номенклатуры девяти серий MLCC, а Samsung Electro-Mechanics и Taiyo Yuden наращивают мощности под ИИ-серверы, где маржа почти вчетверо выше, чем у массовых изделий; дефицит высокоёмких MLCC может продлиться до 2028 года, китайские компании догоняют лишь в среднем и нижнем сегментах.
Ирландия становится полупроводниковым центром полного цикла
За пятьдесят лет Ирландия незаметно выстроила одну из самых полных полупроводниковых экосистем в мире, и Шеймус Кэрролл (Seamus Carroll) из IDA Ireland считает, что национальная стратегия с горизонтом до 2040 года придаёт этой экосистеме более чёткие очертания.
Гонка фабрик: почему сроки строительства упираются в сложность, а не в календарь
Гипермасштабные ИИ-дата-центры растут быстрее, чем поставки чипов для них, и Тимоти Макдонах (Timothy McDonough) из Sherwin-Williams описывает давление на графики строительства полупроводниковых фабрик как гонку со сложностью, а не только с календарём.
Infineon продаёт бизнес F-RAM и NOR Flash компании Winbond за 1,12 млрд долларов
Infineon продаёт бизнес NOR Flash и F-RAM компании Winbond в полностью денежной сделке на 1,12 млрд долларов на бездолговой и безденежной основе. Закрытие сделки ожидается во второй половине 2027 года после получения регуляторных одобрений.
Bank of America ожидает удвоения полупроводниковой отрасли США за четыре года
По данным Investing.com, Bank of America ожидает роста полупроводникового рынка до 3,2 трлн долларов к 2030 году при среднегодовом темпе роста 18% в 2026–2030 годах; прогноз по оборудованию для производства пластин (WFE) на 2026 год повышен до 156 млрд долларов.
MediaTek выпускает 2-нанометровый Dimensity 9600 Pro с прицелом на экономию памяти
MediaTek представила 2-нанометровый Dimensity 9600 Pro, призванный сократить потребление памяти на фоне её дорожания: двойная NPU-архитектура (NPU 1090 и NPU 2.0), аппаратное сжатие KV-cache, обучение LLM на устройстве и поддержка инференса MoE-моделей.
Antevia Networks показала одновременную работу публичной сети MNO и частной 5G на одной RAN
Поставщик телеком-оборудования Antevia Networks продемонстрировал одновременную работу публичной сети оператора (MNO) и частной сети 5G через единую радиоинфраструктуру с использованием MOCN-шлюза Nexus компании Ontix — шаг к общей внутризданной 5G-инфраструктуре в Великобритании.
Advantech FPM-300S: яркие защищённые мониторы, читаемые на солнце, для наружного применения
Advantech представила серию защищённых мониторов высокой яркости FPM-300S: 1800 нит, антибликовое и анти-UV покрытие, оптическая склейка, ударопрочность IK08, передняя панель IP66, рабочий диапазон от -20°C до 70°C и диагонали от 12,1″ до 21,5″.
Четыре ключевых преимущества SiC JFET: новый взгляд на защиту электрических цепей
В материале onsemi разбирается, почему SiC JFET и Combo JFET становятся ключевым выбором для твердотельных автоматических выключателей (SSCB): крайне низкое R_DS(on), стековая сборка в корпусе TOLL, измерение температуры и тока на кристалле, номинальное напряжение 750 В и простая схема управления.